CSD87331Q3D vs CSD87335Q3D Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von CSD87335Q3D und CSD87331Q3D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
LDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
6W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
FET Type
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Standard
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
15A
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.1V, 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
518pF @ 15V
