CSD87350Q5D vs CSD87330Q3D

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87350Q5D und CSD87330Q3D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87350Q5D

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 7004 Stückzahl
Package: LDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

CSD87330Q3D

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 4721 Stückzahl
Package: LDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	CSD87350Q5D	CSD87330Q3D
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	40A	20A
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.9mOhm @ 20A, 8V	-
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V @ 250µA	2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.9nC @ 4.5V	5.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1770pF @ 15V	900pF @ 15V
Power - Max	12W	6W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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