CSD87350Q5D vs CSD87313DMS

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87350Q5D und CSD87313DMS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87350Q5D

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
7004 Stückzahl
Package
LDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD87313DMS

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
6204 Stückzahl
Package
WDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification CSD87350Q5D CSD87313DMS
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10.9nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1770pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 40A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 20A, 8V -
Power - Max 12W -
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