CSD87350Q5D vs CSD87335Q3D
Dieser detaillierte Vergleich von CSD87335Q3D und CSD87350Q5D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
LDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
40A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
5.9mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
10.9nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1770pF @ 15V
Power-Max
-
12W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
