CSD87335Q3D vs CSD87330Q3D

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87335Q3D und CSD87330Q3D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
6547 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD87330Q3D

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
4721 Stückzahl
Package
LDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification CSD87335Q3D CSD87330Q3D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W 6W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Type - 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 20A
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 5.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 900pF @ 15V
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