CSD87330Q3D vs CSD87313DMS
Dieser detaillierte Vergleich von CSD87330Q3D und CSD87313DMS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
PowerLDFN-8
8-PowerWDFN
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Half Bridge)
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max)@Id
2.1V @ 250µA
1.25V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
5.8nC @ 4.5V
28nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
4290pF @ 15V
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
20A
-
Power-Max
6W
-
