CSD87351Q5D vs CSD87313DMS

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87351Q5D und CSD87313DMS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
CSD87351Q5D

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2861 Stückzahl | Texas Instruments
CSD87313DMS

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6204 Stückzahl | Texas Instruments
Paket PowerLDFN-8 8-PowerWDFN
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.7nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1255pF @ 15V 4290pF @ 15V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 32A -
RdsOn(Max)@IdVgs 7.6mOhm @ 20A, 8V -
Power-Max 12W -
Vergleichsmodell : CSD87351Q5D CSD87313DMS

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