CSD87335Q3D vs CSD87313DMS

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87335Q3D und CSD87313DMS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 6547 Stückzahl
Series: Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

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Part B

CSD87313DMS

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 6204 Stückzahl
Package: WDFN-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	CSD87335Q3D	CSD87313DMS
Supplier	-	Texas Instruments
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	-	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature	-	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	4290pF @ 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	CSD87335Q3	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 15V	-
Power - Max	6W	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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