CSD87312Q3E vs CSD87351ZQ5D Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von CSD87312Q3E und CSD87351ZQ5D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
LDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
Supplier
-
Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
27A
32A
Vgs(th)(Max) @ Id
1.3V @ 250µA
2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1250pF @ 15V
1255pF @ 15V
Power - Max
2.5W
12W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Rds On(Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 7A , 8V
-
