CSD87312Q3E vs CSD87313DMS Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von CSD87312Q3E und CSD87313DMS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDFN-8
WDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Source
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.3V @ 250µA
1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1250pF @ 15V
4290pF @ 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
27A
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 7A , 8V
-
Power - Max
2.5W
-
