DGD2190MS8-13 vs DGD2117S8-13 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von DGD2190MS8-13 und DGD2117S8-13 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
High-Side
Channel Type
Independent
Single
Number of Drivers
2
1
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
4.5A, 4.5A
290mA, 600mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
25ns, 20ns
75ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TA)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
