DTA114YET1G vs DTA114EEBMGTL Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von DTA114YET1G und DTA114EEBMGTL bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
DTA114YET1G

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28687 Stückzahl | Onsemi
DTA114EEBMGTL

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4516 Stückzahl | Rohm Halbleiter
Paket SOT-416 SOT-490
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 TRANS PNP 100MA 50V SC-89
Supplier onsemi Rohm Semiconductor
Part Status Active Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms 10 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 200 mW 150 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - DTA114E
Frequency - Transition - 250 MHz
Vergleichsmodell : DTA114YET1G DTA114EEBMGTL

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