DTA114YET1G vs DTA114ESATP

Dieser detaillierte Vergleich von DTA114YET1G und DTA114ESATP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTA114YET1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 28687 Stückzahl
Package: SOT-416
Series: Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)

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Part B

DTA114ESATP

Rohm Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 7931 Stückzahl
Package: SC-72
Series: Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)

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Full specification comparison

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Specification	DTA114YET1G	DTA114ESATP
Supplier	onsemi	Rohm Semiconductor
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50 V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	47 kOhms	10 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	80 @ 5mA, 10V	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	200 mW	300 mW
Mounting Type	Surface Mount	Through Hole
Frequency - Transition	-	250 MHz

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