DTA114YET1G vs DTA114TET1

Dieser detaillierte Vergleich von DTA114YET1G und DTA114TET1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTA114YET1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
28687 Stückzahl
Package
SOT-416
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage
Part B

DTA114TET1

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
9427 Stückzahl
Package
SOT-416
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage

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Specification DTA114YET1G DTA114TET1
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 200 mW 200 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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