DTC114YET1G vs DTC114EEBMGTL

Dieser detaillierte Vergleich von DTC114YET1G und DTC114EEBMGTL bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTC114YET1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3161 Stückzahl
Package: SOT-416
Series: Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)

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Part B

DTC114EEBMGTL

Rohm Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 8810 Stückzahl
Package: SOT-490
Series: Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)

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Full specification comparison

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Specification	DTC114YET1G	DTC114EEBMGTL
Supplier	onsemi	Rohm Semiconductor
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50 V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	47 kOhms	10 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	80 @ 5mA, 10V	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	200 mW	150 mW
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	DTC114E
Frequency - Transition	-	250 MHz

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