DTC114YET1G vs DTC114TSATP

Dieser detaillierte Vergleich von DTC114YET1G und DTC114TSATP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

DTC114YET1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3161 Stückzahl
Package
SOT-416
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
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Part B

DTC114TSATP

Rohm Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
9332 Stückzahl
Package
SC-72
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage

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Specification DTC114YET1G DTC114TSATP
Supplier onsemi Rohm Semiconductor
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 47 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 80 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA (ICBO)
Power - Max 200 mW 300 mW
Mounting Type Surface Mount Through Hole
Frequency - Transition - 250 MHz
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