DTC114YET1G vs DTC114TET1

Dieser detaillierte Vergleich von DTC114YET1G und DTC114TET1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DTC114YET1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3161 Stückzahl
Package: SOT-416
Series: Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)

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Part B

DTC114TET1

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3596 Stückzahl
Package: SOT-416
Series: Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)

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Full specification comparison

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Specification	DTC114YET1G	DTC114TET1
Supplier	onsemi	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50 V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	47 kOhms	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	80 @ 5mA, 10V	160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	200 mW	200 mW
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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