ECH8668-TL-H vs ECH8602M-TL-H

Dieser detaillierte Vergleich von ECH8668-TL-H und ECH8602M-TL-H bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

ECH8668-TL-H

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3 Stückzahl
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

ECH8602M-TL-H

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7357 Stückzahl
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	ECH8668-TL-H	ECH8602M-TL-H
Supplier	onsemi	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7.5A, 5A	6A
Rds On(Max) @ Id Vgs	17mOhm @ 4A, 4.5V	30mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.8nC @ 4.5V	7.5nC @ 4.5V
Power - Max	1.5W	1.5W
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1060pF @ 10V	-

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