ECH8668-TL-H vs ECH8619-TL-E

Dieser detaillierte Vergleich von ECH8668-TL-H und ECH8619-TL-E bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

ECH8668-TL-H

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3 Stückzahl
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

ECH8619-TL-E

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5463 Stückzahl
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	ECH8668-TL-H	ECH8619-TL-E
Supplier	onsemi	onsemi
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7.5A, 5A	3A, 2A
Rds On(Max) @ Id Vgs	17mOhm @ 4A, 4.5V	93mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10.8nC @ 4.5V	12.8nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1060pF @ 10V	560pF @ 20V
Power - Max	1.5W	1.5W
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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