ECH8668-TL-H vs ECH8619-TL-E

Dieser detaillierte Vergleich von ECH8668-TL-H und ECH8619-TL-E bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
ECH8668-TL-H

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3 Stückzahl | Onsemi
ECH8619-TL-E

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5463 Stückzahl | Onsemi
Paket 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
Supplier onsemi onsemi
ProductStatus Obsolete Obsolete
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A, 5A 3A, 2A
RdsOn(Max)@IdVgs 17mOhm @ 4A, 4.5V 93mOhm @ 1.5A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 10.8nC @ 4.5V 12.8nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1060pF @ 10V 560pF @ 20V
Power-Max 1.5W 1.5W
OperatingTemperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : ECH8668-TL-H ECH8619-TL-E

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