ECH8668-TL-H vs ECH8652-TL-H Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von ECH8668-TL-H und ECH8652-TL-H bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
ECH8668-TL-H

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3 Stückzahl | Onsemi
ECH8652-TL-H

+Stückliste

4825 Stückzahl | Onsemi
Paket 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.5A, 5A 6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17mOhm @ 4A, 4.5V 28mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1060pF @ 10V 1000pF @ 6V
Power - Max 1.5W 1.5W
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : ECH8668-TL-H ECH8652-TL-H

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