FDC655BN vs FDC653N

Dieser detaillierte Vergleich von FDC653N und FDC655BN bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDC653N

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5502 Stückzahl | Onsemi
FDC655BN

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3988 Stückzahl | Onsemi
Paket SSOT-6 SSOT-6
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5A (Ta) 6.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 35mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 350 pF @ 15 V 570 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
Vergleichsmodell : FDC653N FDC655BN

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