FDG6303N vs FDG6335N
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6303N und FDG6335N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SC-70-6
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
ProductStatus
-
Active
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6303
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 N-Channel (Dual)
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500mA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
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Power - Max
300mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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