FDG6303N vs FDG6313N

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6303N und FDG6313N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6303N

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6717 Stückzahl
Series: Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

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Part B

FDG6313N

Fairchild Halbleiter

Lifecycle: Active
Stock: 4277 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	FDG6303N	FDG6313N
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Active
Base Product Number	FDG6303	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)	-
FET Feature	Logic Level Gate	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	500mA	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 500mA, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.3nC @ 4.5V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V	-
Power - Max	300mW	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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