FDG6303N vs FDG6313N
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6303N und FDG6313N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
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Active
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6303
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 N-Channel (Dual)
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500mA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
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Power - Max
300mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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