FDG6303N vs FDG6314P

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6303N und FDG6314P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6303N

+Stückliste

6717 Stückzahl | Onsemi
FDG6314P

+Stückliste

9279 Stückzahl | Onsemi
Paket 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88 MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
Supplier - onsemi
ProductStatus - Obsolete
FETType - 2 P-Channel (Dual)
FETFeature - Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 25V
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDG6303 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V -
Power - Max 300mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Vergleichsmodell : FDG6303N FDG6314P

+Stückliste Anfrage