FDG6303N vs FDG6301N

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6303N und FDG6301N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6303N

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6717 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDG6301N

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7191 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDG6303N FDG6301N
Part Status Obsolete Obsolete
Base Product Number FDG6303 FDG6301
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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