FDG6301N vs FDG6302P
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6301N und FDG6302P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
140mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
12pF @ 10V
Power-Max
-
300mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6301
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
