FDG6301N vs FDG6320C_D87Z Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6301N und FDG6320C_D87Z bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SC-88
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier
-
onsemi
Part Status
Obsolete
Obsolete
FET Type
-
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
220mA, 140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
9.5pF @ 10V
Power - Max
300mW
300mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
FDG6301
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
220mA
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
