FDG6301N vs FDG6301N_D87Z Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6301N und FDG6301N_D87Z bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6301N

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7191 Stückzahl | Onsemi
FDG6301N_D87Z

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2903 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-88
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDG6301 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Vergleichsmodell : FDG6301N FDG6301N_D87Z

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