FDG6306P vs FDG6303N_G

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6306P und FDG6303N_G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6306P

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
20835 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDG6303N_G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4760 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification FDG6306P FDG6303N_G
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® -
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 114pF @ 10V 50pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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