FDG6306P vs FDG6302P

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6306P und FDG6302P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6306P

+Stückliste

20835 Stückzahl | Onsemi
FDG6302P

+Stückliste

5604 Stückzahl | Onsemi
Paket 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® -
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 600mA 140mA
RdsOn(Max)@IdVgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 114pF @ 10V 12pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6306P FDG6302P

+Stückliste Anfrage