FDG6322C vs FDG6306P
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6306P und FDG6322C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
onsemi
Series
PowerTrench®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
600mA
220mA, 410mA
RdsOn(Max)@IdVgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
2nC @ 4.5V
0.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
114pF @ 10V
9.5pF @ 10V
Power-Max
300mW
300mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
