FDG6306P vs FDG6317NZ

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6306P und FDG6317NZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6306P

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 20835 Stückzahl
Package: SC-88
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

FDG6317NZ

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 15868 Stückzahl
Package: SC-88
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	FDG6306P	FDG6317NZ
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	onsemi
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	600mA	700mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	420mOhm @ 600mA, 4.5V	400mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V	1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	114pF @ 10V	66.5pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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