FDG6306P vs FDG6301N_D87Z Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6306P und FDG6301N_D87Z bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6306P

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20835 Stückzahl | Onsemi
FDG6301N_D87Z

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2903 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-88 SC-88
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® -
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 600mA 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 114pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6306P FDG6301N_D87Z

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