FDG6322C vs FDG6302P

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6322C und FDG6302P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6322C

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4629 Stückzahl | Onsemi
FDG6302P

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5604 Stückzahl | Onsemi
Paket 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier onsemi onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 220mA, 410mA 140mA
RdsOn(Max)@IdVgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.4nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9.5pF @ 10V 12pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6322C FDG6302P

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