FDMC8032L vs FDMC86262P
Dieser detaillierte Vergleich von FDMC86262P und FDMC8032L bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerWDFN-8
PowerWDFN-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2A (Ta), 8.4A (Tc)
7A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
307mOhm @ 2A, 10V
20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
13 nC @ 10 V
11nC @ 10V
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
885 pF @ 75 V
720pF @ 20V
PowerDissipation(Max)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
1.9W
