FDMC8032L vs FDMC86160

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC8032L und FDMC86160 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDMC8032L

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6487 Stückzahl | Onsemi
FDMC86160

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4379 Stückzahl | Onsemi
Paket PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A 9A (Ta), 43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 20mOhm @ 7A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 10V 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 720pF @ 20V 1290 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 2.3W (Ta), 54W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature Logic Level Gate -
Power-Max 1.9W -
Vergleichsmodell : FDMC8032L FDMC86160

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