FDMC86259P vs FDMC8032L

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC86259P und FDMC8032L bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC86259P

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7633 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
Part B

FDMC8032L

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6487 Stückzahl
Package
WDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Specification FDMC86259P FDMC8032L
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
Base Product Number FDMC86259 -
FET Type P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta), 13A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±25V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 75 V -
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 62W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 7A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 11nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 720pF @ 20V
Power - Max - 1.9W