FDMC86259P vs FDMC8878

Dieser detaillierte Vergleich von FDMC86259P und FDMC8878 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC86259P

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7633 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

FDMC8878

Fairchild Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
7724 Stückzahl
Package
WDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDMC86259P FDMC8878
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 14mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1230 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 62W (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC86259 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta), 13A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±25V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 75 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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