FDMS3660S vs FDMS3600S

Dieser detaillierte Vergleich von FDMS3660S und FDMS3600S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDMS3660S

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7388 Stückzahl | Onsemi
FDMS3600S

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5621 Stückzahl | Onsemi
Paket PowerTDFN-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
Series PowerTrench® -
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A, 60A -
RdsOn(Max)@IdVgs 8mOhm @ 13A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.7V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 29nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1765pF @ 15V -
Power-Max 1W -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : FDMS3660S FDMS3600S

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