FDMS3660S vs FDMS3669S
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS3669S und FDMS3660S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerTDFN-8
PowerTDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
13A, 18A
30A, 60A
RdsOn(Max)@IdVgs
10mOhm @ 13A, 10V
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.7V @ 250µA
2.7V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
24nC @ 10V
29nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1605pF @ 15V
1765pF @ 15V
Power-Max
1W
1W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
