FDMS3669S vs FDMS3600S

Dieser detaillierte Vergleich von FDMS3669S und FDMS3600S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDMS3669S

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4171 Stückzahl | Onsemi
FDMS3600S

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5621 Stückzahl | Onsemi
Paket PowerTDFN-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56 MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
Series PowerTrench® -
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A, 18A -
RdsOn(Max)@IdVgs 10mOhm @ 13A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 2.7V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1605pF @ 15V -
Power-Max 1W -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : FDMS3669S FDMS3600S

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