FDMS3669S vs FDMS3622S
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS3669S und FDMS3622S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerTDFN-8
8-PowerTDFN
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
MOSFET 2N-CH 25V 17.5/34A PWR56
Supplier
-
onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
13A, 18A
17.5A, 34A
RdsOn(Max)@IdVgs
10mOhm @ 13A, 10V
5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.7V @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
24nC @ 10V
26nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1605pF @ 15V
1570pF @ 13V
Power-Max
1W
1W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
