FDMS86163P vs FDMS8050ET30
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86163P und FDMS8050ET30 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerTDFN-8
PowerTDFN-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Not For New Designs
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
55A (Ta), 423A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 750µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
59 nC @ 10 V
285 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4085 pF @ 50 V
22610 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
3.3W (Ta), 180W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
