FDMS86163P vs FDMS86181
Dieser detaillierte Vergleich von FDMS86163P und FDMS86181 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
44A (Ta), 124A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
59 nC @ 10 V
59 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4085 pF @ 50 V
4125 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
