FDS8958B vs FDS8949
Dieser detaillierte Vergleich von FDS8949 und FDS8958B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
6.4A, 4.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 10V
26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
11nC @ 5V
12nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
955pF @ 20V
540pF @ 15V
Power-Max
2W
900mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
