FDS8958A vs FDS8958B

Dieser detaillierte Vergleich von FDS8958A und FDS8958B bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS8958A

Fairchild Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
3494 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
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Part B

FDS8958B

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2336 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification FDS8958A FDS8958B
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7A, 5A 6.4A, 4.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 28mOhm @ 7A, 10V 26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 16nC @ 10V 12nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 575pF @ 15V 540pF @ 15V
Power - Max 900mW 900mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
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