FDV303N vs FDV302P
Dieser detaillierte Vergleich von FDV302P und FDV303N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT23-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDV30
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FET Type
P-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
-8V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 10 V
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Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
680mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
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450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
50 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
