FDV303N vs FDV304P

Dieser detaillierte Vergleich von FDV304P und FDV303N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDV304P

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1983 Stückzahl | Onsemi
FDV303N

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4582 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3 SOT23-3
Beschreibung MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 460mA (Ta) 680mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1.5 nC @ 4.5 V 2.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 63 pF @ 10 V 50 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDV304P FDV303N

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