FDV303N vs FDV305N

Dieser detaillierte Vergleich von FDV305N und FDV303N bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDV305N

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6289 Stückzahl | Fairchild Halbleiter
FDV303N

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4582 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3 SOT23-3
Beschreibung SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Series PowerTrench® -
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 900mA (Ta) 680mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 220mOhm @ 900mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1.5 nC @ 4.5 V 2.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 109 pF @ 10 V 50 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDV305N FDV303N

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