GD25LQ64ESIGR vs GD25LD40CTIG Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von GD25LQ64ESIGR und GD25LD40CTIG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
GD25LQ64ESIGR

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3762 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIG

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4394 Stückzahl | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung 64MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208 IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 64Mb (8M x 8) 4Mb (512K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
Clock Frequency 133 MHz 50 MHz
Write Cycle Time - Word Page 60µs, 2.4ms 97µs, 6ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
Vergleichsmodell : GD25LQ64ESIGR GD25LD40CTIG

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